因應生成式AI(人工智慧)時代到來,前瞻記憶體儲存技術如火如荼研發,國研院半導體中心攜手台積電,合作開發下世代記憶體晶片,將選擇器與磁性記憶體(MRAM)整合,能較傳統的記憶體(DRAM)速度快上千倍,容量堆疊有機會達百倍,功耗則僅10分之1,且不會一關電源就喪失資料,相關成果論文已獲全球頂尖電子元
國科會今(17日)舉行第9次委員會議,會中經濟部報告「AI ON Chip終端智慧發展計畫」成果,包含半通用晶片、異質整合AI晶片與試量產線、超低功耗AI晶片、AI系統軟體等,其中高效能記憶體(MRAM)的效能目前領先韓國三星類似技術40%,目前已獲台積電納入下一代製程。
因應人工智慧、5G需求新世代記憶體,工研院與晶圓製造龍頭台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(Spin Orbit Torque MRAM;SOT-MRAM)陣列晶片搭配創新的運算架構,適用記憶體內運算,功耗僅為STT-MRAM的百分之一,成果領先國際,未來此技術可應用於高效能運算(HPC)
在一間豆漿店拍板定案,50年來半導體產業已成為臺灣的「護國神山」,在國際間占有舉足輕重的地位。從半導體產業的草創、成長到茁壯,工研院皆扮演重要推手,近年更瞄準AI人工智慧、5G與AIoT等科技進展,持續投入研發次世代先進記憶體技術,補足產業最需要的研發能量,搶占未來先機。
台美啟動先進半導體晶片設計及製作合作,國科會公布入選6件計畫,國立台灣大學今天宣布該校拿下4件,台大團隊將分別與美國著名大學合作,把晶片技術應用於人工智慧及機器學習運算、邊緣運算、下世代雷達系統、先進感測系統等領域,持續強化我國與美國二國的半導體競爭力。
ChatGPT成為全球熱門,帶領AI發展進入新的高峰。近年來,AI已成為各種新興科技的關鍵技術,臺灣在這波AI潮流中也沒有缺席。「台灣人工智慧晶片聯盟」致力於打造完備的產學研合作生態系,並積極推動產業鏈結和國際合作,將臺灣的AI技術實力推向國際舞台。
全球車用處理領導廠商恩智浦半導體(NXP )今(16)日宣布與台積電合作,推出業界首款採用16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。恩智浦表示,隨著汽車製造商朝向軟體定義汽車(SDV)轉型,車廠需要在單一硬體平台上支援多世代軟體更新。結合恩智浦的高效能S
晶圓代工廠聯(2303)董事長洪嘉聰表示,聯電去年投注研發費用達新臺幣130億元新高,持續開發 5G 通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等應用所需的製程技術,達成多項重要成果,除了28奈米HPC+高效能運算影像訊號處理器 (ISP) 技術成功導入量產;22奈米 25V高壓的低溫多晶氧化物面板 (LTP
美國防部出資開發下一代技術SEMICON Taiwan 二○二二國際半導體展昨於南港展覽館揭幕,經濟部技術處「SEMICON Taiwan科技專案」展出三十三項創新技術,其中,工研院攜手多家國內大廠,完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片(見圖,經濟部技術處提供),不但讀取更快速、記性更好,使用壽命
工研院攜手多家國內大廠,完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片,不但讀取更快速、記性更好,使用壽命也更長;工研院進而打造國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系, 美國國防部更首度出資開發下一代磁性記憶體技術,未來可應用於AI人工智慧、車載資通訊等多元領域。
晶圓代工廠聯電(2303)與專精MRAM技術的創新公司Avalanche Technology 於今(13)日宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 ( P-SRAM),此第三代產品採聯電的22奈米製程生產,為Avalanche Technology最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRA
工研院今(15)日宣布,與晶圓代工龍頭廠台積電(2330)合作,開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體(SOT-MRAM)陣列晶片,可應用於人工智慧、車用電子、高效能運算等領域。工研院電子與光電系統所所長張世杰表示,磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)有媲美靜態隨機存取記憶體(SRAM)的寫入、讀取速度,
磁性記憶體(Magnetic Random Access Memory;MRAM)技術已成為主流,工研院與美國加州大學洛杉磯分校(UCLA)宣布簽署電壓控制式磁性記憶體(VC-MRAM)合作開發計畫,未來將共同開發下一代的磁性記憶體,若開發出來,未來可望減少近百倍能耗,提升逾10倍速度,樹立創新記憶
IC與半導體發展中,記憶體也是關鍵元件,長庚大學今(12日)宣布與旺宏電子、南亞科技、晶豪科技、鈺創科技等4家記憶體大廠簽訂產學合作契約,今年起成立記憶體專業學程碩士專班,更祭出80萬元獎學金要吸引碩士生加入。長庚大學校長湯明哲表示,半導體產業發展過去如日本1980年代成立超大型積體電路計劃打敗美國
發展5G、AI、太空,運算需求大,擁有更強效能記憶體的技術成為關鍵。清大、台大及工研院共同研發出新型態的「自旋軌道力矩式磁性記憶體」(SOT-MRAM),耗能低、體積小,可望成為下一代記憶體的主流,相關成果於今年六月已在著名的半導體研討會「2021 Symposia on VLSI Technolo
走入5G、AI,還要發展太空,運算需求更大,擁有更強效能記憶體的技術成為關鍵,由清大、台大及工研院共同研發出新型態的「自旋軌道力矩式磁性記憶體」(SOT-MRAM),耗能更低、體積更小,可望成為下一代記憶體的主流,相關成果於今年6月登上世界上最著名的半導體研討會議「2021 Symposia on
林修民/東吳大學講師最近大概是筆者從學生時代踏入電機電子界以來台灣半導體最紅的年代,不只過去很少直接跟台灣官方打交道的日本與美國官員相繼要求政府幫忙台積電提供車用晶片,連過去與中國相當友好的德國官方也顧不得中國跳腳反應直接寫信給我國官員,而台灣民間以疫苗換晶片之說不斷,向來妙語如珠的駐德謝大使難怪說
工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅昨表示,人工智慧(AI)與5G時代來臨,高速運算需另搭功能更強的新興記憶體輔助,邏輯IC將磁阻隨機存取記憶體(MRAM)等新興記憶體的異質整合勢在必行,工研院開發MRAM技術已有超過十家半導體廠商進行技術授權或合作。
隨半導體製程已邁向3奈米,後續發展也面臨瓶頸,由國輻中心所組成的台灣、德國跨國研究團隊,以「鈷/二硫化鉬異質結構」進行特徵研究分析,發現透過異質結構「軌域混成」,可能導出「自發磁異向性」,未來若用在電子元件,可能得以在半導體及光電產業上獲得突破發展。
IEEE國際電子元件(IEDM)為半導體產業技術高峰會議,正在美國舉行,工研院在會中發表鐵電記憶體(FRAM)、磁阻隨機存取記憶體(MRAM)相關技術重要論文各3篇,引領創新研發方向,並為新興記憶體領域中發表篇數最多者,可應用在5G與AI的異質整合需求。