經濟部產業發展署近期公告「化合物半導體設備發展推動計畫」,將鎖定協助業者加速開發8吋碳化矽設備技術,逐步建置我國化合物半導體設備的自製能量;另零組件採用國產的比例達80%,核定補助款可額外加碼最高20%。產發署指出,碳化矽(SiC)化合物半導體具高硬度及高熔點特性,目前生產碳化矽晶圓所需的超高溫長晶
林子翔/核稿編輯〔體育中心/綜合報導〕道奇隊今天將在南韓首爾高尺巨蛋與教士隊展開2場海外系列賽,年僅20歲的道奇小將張賢碩對於只能在電視上觀看這場比賽感到難過。年僅20歲的張賢碩是道奇隊在2023年簽下的國際自由球員,6尺4吋的他被認為若投入選秀的話能在首輪中選,不過他最終選擇與道奇簽約,今年被排在