因應生成式AI(人工智慧)時代到來,前瞻記憶體儲存技術如火如荼研發,國研院半導體中心攜手台積電,合作開發下世代記憶體晶片,將選擇器與磁性記憶體(MRAM)整合,能較傳統的記憶體(DRAM)速度快上千倍,容量堆疊有機會達百倍,功耗則僅10分之1,且不會一關電源就喪失資料,相關成果論文已獲全球頂尖電子元
國科會今(17日)舉行第9次委員會議,會中經濟部報告「AI ON Chip終端智慧發展計畫」成果,包含半通用晶片、異質整合AI晶片與試量產線、超低功耗AI晶片、AI系統軟體等,其中高效能記憶體(MRAM)的效能目前領先韓國三星類似技術40%,目前已獲台積電納入下一代製程。
因應人工智慧、5G需求新世代記憶體,工研院與晶圓製造龍頭台積電合作,攜手開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體(Spin Orbit Torque MRAM;SOT-MRAM)陣列晶片搭配創新的運算架構,適用記憶體內運算,功耗僅為STT-MRAM的百分之一,成果領先國際,未來此技術可應用於高效能運算(HPC)
在一間豆漿店拍板定案,50年來半導體產業已成為臺灣的「護國神山」,在國際間占有舉足輕重的地位。從半導體產業的草創、成長到茁壯,工研院皆扮演重要推手,近年更瞄準AI人工智慧、5G與AIoT等科技進展,持續投入研發次世代先進記憶體技術,補足產業最需要的研發能量,搶占未來先機。
ChatGPT成為全球熱門,帶領AI發展進入新的高峰。近年來,AI已成為各種新興科技的關鍵技術,臺灣在這波AI潮流中也沒有缺席。「台灣人工智慧晶片聯盟」致力於打造完備的產學研合作生態系,並積極推動產業鏈結和國際合作,將臺灣的AI技術實力推向國際舞台。
全球車用處理領導廠商恩智浦半導體(NXP )今(16)日宣布與台積電合作,推出業界首款採用16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)技術的車用嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。恩智浦表示,隨著汽車製造商朝向軟體定義汽車(SDV)轉型,車廠需要在單一硬體平台上支援多世代軟體更新。結合恩智浦的高效能S
晶圓代工廠聯(2303)董事長洪嘉聰表示,聯電去年投注研發費用達新臺幣130億元新高,持續開發 5G 通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等應用所需的製程技術,達成多項重要成果,除了28奈米HPC+高效能運算影像訊號處理器 (ISP) 技術成功導入量產;22奈米 25V高壓的低溫多晶氧化物面板 (LTP
美國防部出資開發下一代技術SEMICON Taiwan 二○二二國際半導體展昨於南港展覽館揭幕,經濟部技術處「SEMICON Taiwan科技專案」展出三十三項創新技術,其中,工研院攜手多家國內大廠,完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片(見圖,經濟部技術處提供),不但讀取更快速、記性更好,使用壽命
工研院攜手多家國內大廠,完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片,不但讀取更快速、記性更好,使用壽命也更長;工研院進而打造國內唯一磁性記憶體驗證試量產平台與生態系, 美國國防部更首度出資開發下一代磁性記憶體技術,未來可應用於AI人工智慧、車載資通訊等多元領域。
晶圓代工廠聯電(2303)與專精MRAM技術的創新公司Avalanche Technology 於今(13)日宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 ( P-SRAM),此第三代產品採聯電的22奈米製程生產,為Avalanche Technology最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 (STT-MRA
工研院今(15)日宣布,與晶圓代工龍頭廠台積電(2330)合作,開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體(SOT-MRAM)陣列晶片,可應用於人工智慧、車用電子、高效能運算等領域。工研院電子與光電系統所所長張世杰表示,磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)有媲美靜態隨機存取記憶體(SRAM)的寫入、讀取速度,
磁性記憶體(Magnetic Random Access Memory;MRAM)技術已成為主流,工研院與美國加州大學洛杉磯分校(UCLA)宣布簽署電壓控制式磁性記憶體(VC-MRAM)合作開發計畫,未來將共同開發下一代的磁性記憶體,若開發出來,未來可望減少近百倍能耗,提升逾10倍速度,樹立創新記憶
IC與半導體發展中,記憶體也是關鍵元件,長庚大學今(12日)宣布與旺宏電子、南亞科技、晶豪科技、鈺創科技等4家記憶體大廠簽訂產學合作契約,今年起成立記憶體專業學程碩士專班,更祭出80萬元獎學金要吸引碩士生加入。長庚大學校長湯明哲表示,半導體產業發展過去如日本1980年代成立超大型積體電路計劃打敗美國
工研院電子與光電系統研究所所長吳志毅昨表示,人工智慧(AI)與5G時代來臨,高速運算需另搭功能更強的新興記憶體輔助,邏輯IC將磁阻隨機存取記憶體(MRAM)等新興記憶體的異質整合勢在必行,工研院開發MRAM技術已有超過十家半導體廠商進行技術授權或合作。
隨半導體製程已邁向3奈米,後續發展也面臨瓶頸,由國輻中心所組成的台灣、德國跨國研究團隊,以「鈷/二硫化鉬異質結構」進行特徵研究分析,發現透過異質結構「軌域混成」,可能導出「自發磁異向性」,未來若用在電子元件,可能得以在半導體及光電產業上獲得突破發展。
IEEE國際電子元件(IEDM)為半導體產業技術高峰會議,正在美國舉行,工研院在會中發表鐵電記憶體(FRAM)、磁阻隨機存取記憶體(MRAM)相關技術重要論文各3篇,引領創新研發方向,並為新興記憶體領域中發表篇數最多者,可應用在5G與AI的異質整合需求。
工研院電光系統所所長吳志毅表示,5G時代來臨,半導體業走向異質整合,不同技術整合性越來越強,像是磁性的MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)對台灣廠商而言,就很有發展前景。奈秒讀寫 比Flash快千倍工研院電光所表示,MRAM的讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,比大家所熟知的Flash(快閃
全球搶攻AI商機,晶片是AI最關鍵的大腦,成軍近5個月的台灣人工智慧晶片聯盟(AITA,諧音愛台聯盟)今天進一步成立四大關鍵技術委員會,工研院在會中展示領先國際的自旋(SOT)磁性記憶體(MRAM)技術,讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,並已吸引多家國內外半導體大廠合作開發或技術移轉。
晶圓代工廠台積電(2330)昨舉辦北美技術論壇,由台積電總裁魏哲家以演講揭開序幕,他指出,台積電是半導體產業中值得信賴的技術及產能提供者,協助客戶釋放創新,最新的7奈米製程已經成為推動人工智慧(AI)的一項關鍵技術,讓AI嵌入在許多創新的服務之中。
晶圓代工廠台積電 (2330) 今天舉辦北美技術論壇,由台積電總裁魏哲家以演講揭開序幕,他指出台積電是半導體產業中值得信賴的技術及產能提供者,協助客戶釋放創新,最新的7奈米製程已經成為推動人工智慧(AI)的一項關鍵技術,讓AI嵌入在許多創新的服務之中。