晶圓代工大廠聯電與美商ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者Avalanche共同宣布,將攜手合作技術開發磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)及相關28奈米產品。綜合媒體報導,聯電與Avalanche合作協議,將聯電28 奈米CMOS製程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊,提供給客戶超高效能及低功
自由時報財經︰積極布局房產 黎智英成豪宅包租公壹傳媒創辦人黎智英來台除發展媒體事業,其實私底下更積極布局房地產,除在內湖五期周邊大量買進工業地之外,二○一○年時將投資觸角延伸至豪宅,為他賺進大把鈔票。相關新聞請見:##積極布局房產 黎智英成豪宅包租公%%http://news.ltn.com.tw/
南韓記憶體晶片大廠SK海力士涉嫌竊取儲存型快閃記憶體(NAND Flash)商業機密,遭日本東芝(Toshiba)及美商晟碟(SanDisk)提告,恐挨罰1091.5億日圓(約新台幣323億元);但韓國分析師稱,SK海力士與東芝為合作夥伴,該訴訟案對SK海力士的衝擊有限。
南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix Semiconductor Inc.,KR-000660),最近遭到日本消費性電子製造商東芝(Toshiba Corporation,JP-6502)和美國記憶體製造商新帝(SanDisk Corporation,US-SNDK)控告,指其竊取商業機密,並
工研院投入MRAM(磁式記憶體)研發超過10年,近年來技術大突破,整體研發成果與韓國三星、日本東芝等同步,預計尋求2015年與產業界攜手將技術導入量產,屆時有機會取代DRAM等記憶體。2015年展開新一輪競爭工研院電光所所長劉軍廷表示,該所研發的MRAM為「垂直式自旋磁性記憶體」技術,近年來克服非對
行動裝置產品朝向快速、省電需求發展,新世代記憶體技術再度受矚目,其中磁性記憶體(Magnetic Random Access Memory,MRAM)能否克服技術瓶頸,進入量產,一直被拭目以待。工研院指出,目前已被使用的各種記憶體,從容量到速度各有不同的特性與定位。例如硬碟(HDD)儲存容量高,並具
預期下半年DDRII記憶體產能需求將增加,DRAM封測廠投資設備主力均擺在DDRII記憶體,力成(6239)、泰林〔5466〕、南茂等封測廠第3季將持續擴增DDRII記憶體產能。日本DRAM大廠爾必達(Elpida)後段封測委外代工量越趨增加,今年將躍為力成最大單一客戶,力成接獲爾必達的DDRI、D