工研院電光系統所所長吳志毅表示,5G時代來臨,半導體業走向異質整合,不同技術整合性越來越強,像是磁性的MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)對台灣廠商而言,就很有發展前景。奈秒讀寫 比Flash快千倍工研院電光所表示,MRAM的讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,比大家所熟知的Flash(快閃
全球搶攻AI商機,晶片是AI最關鍵的大腦,成軍近5個月的台灣人工智慧晶片聯盟(AITA,諧音愛台聯盟)今天進一步成立四大關鍵技術委員會,工研院在會中展示領先國際的自旋(SOT)磁性記憶體(MRAM)技術,讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,並已吸引多家國內外半導體大廠合作開發或技術移轉。
晶圓代工廠台積電(2330)昨舉辦北美技術論壇,由台積電總裁魏哲家以演講揭開序幕,他指出,台積電是半導體產業中值得信賴的技術及產能提供者,協助客戶釋放創新,最新的7奈米製程已經成為推動人工智慧(AI)的一項關鍵技術,讓AI嵌入在許多創新的服務之中。
晶圓代工廠台積電 (2330) 今天舉辦北美技術論壇,由台積電總裁魏哲家以演講揭開序幕,他指出台積電是半導體產業中值得信賴的技術及產能提供者,協助客戶釋放創新,最新的7奈米製程已經成為推動人工智慧(AI)的一項關鍵技術,讓AI嵌入在許多創新的服務之中。
清華大學工學院長賴志煌結合物理系教授林秀豪等組成跨領域團體,研發出夢幻新一代的磁性記憶體MRAM核心技術,透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉,不僅有助擴大記憶體容量,且就算斷電,資料也不會消失,未來採用磁性記憶體的手機、平板,待機時間甚至可延長至少一倍。相關研究已登上國際期刊「自然材
DRAM(動態隨機存取記憶體)以電荷來記憶處理資料,MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)是以磁性方向來做為記憶單元,DRAM記憶單元具有電荷代表1,沒有則是0,記憶體必須一直充電,才不會失去原有的1與0訊息,不僅比MRAM耗電,一旦斷電資料就會流失。
清華大學工學院長賴志煌結合物理系教授林秀豪,帶著博士生林柏宏、楊博元組成跨領域團隊,研發出夢幻磁性記憶體MRAM新一代核心技術,率全球之先透過電子自旋流來操控鐵磁、反鐵磁奈米膜層的磁性翻轉,研究今年2月登上材料領域排名第一的國際期刊「自然材料」。
晶圓代工大廠聯電與美商ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者Avalanche共同宣布,將攜手合作技術開發磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)及相關28奈米產品。綜合媒體報導,聯電與Avalanche合作協議,將聯電28 奈米CMOS製程上提供嵌入式非揮發性MRAM區塊,提供給客戶超高效能及低功
自由時報財經︰積極布局房產 黎智英成豪宅包租公壹傳媒創辦人黎智英來台除發展媒體事業,其實私底下更積極布局房地產,除在內湖五期周邊大量買進工業地之外,二○一○年時將投資觸角延伸至豪宅,為他賺進大把鈔票。相關新聞請見:##積極布局房產 黎智英成豪宅包租公%%http://news.ltn.com.tw/
隨著手機越做越先進,系統佔用記憶體也越來越大。據《中央社》報導指出因為手機記憶體價格飆漲,將導致手機廠商放緩手機搭載的記憶體大小,這意味著今年至年底都難以出現大容量記憶體的智慧型手機...
隨著技術進步,下一代的快取記憶體也即將面世,綜合外媒《Phone Arena》與《Patently Apple》的報導,韓國三星電子(Samsung)與 IT 巨人 IBM 已經研發了新一代的記憶體,並表示是目前同類型最快的記憶體,稱為「MRAM」...
1971年,第一代巨人少棒隊勇奪威廉波特世界少棒賽冠軍,吳誠文是當時巨人少棒隊主力投手之一;而現在,身為清大副校長的吳誠文被視為台灣半導體產業重要推手之一,在超大型積體電路設計與測試、記憶體測試等研究領域,有著舉足輕重的地位。吳誠文曾任工研院資通所所長、清大電資學院院長等,也曾獲「國家講座主持人」獎
來自產業界的台大物理系課座副研究員林育中說,自旋電子學元件具有低耗能與不會牽涉到原子結構的破壞,可靠性高,所需能量是傳統半導體材料的千分之一。未來手機充電一次就能使用3年,將帶動下一代產業技術。科技部今天頒發第8屆杜聰明獎,兩位德籍得主雷諾瓦塞(Rainer Waser)與克勞蒂雅-菲斯(Claud
南韓記憶體晶片大廠SK海力士涉嫌竊取儲存型快閃記憶體(NAND Flash)商業機密,遭日本東芝(Toshiba)及美商晟碟(SanDisk)提告,恐挨罰1091.5億日圓(約新台幣323億元);但韓國分析師稱,SK海力士與東芝為合作夥伴,該訴訟案對SK海力士的衝擊有限。
南韓半導體大廠SK海力士(SK Hynix Semiconductor Inc.,KR-000660),最近遭到日本消費性電子製造商東芝(Toshiba Corporation,JP-6502)和美國記憶體製造商新帝(SanDisk Corporation,US-SNDK)控告,指其竊取商業機密,並
工研院投入MRAM(磁式記憶體)研發超過10年,近年來技術大突破,整體研發成果與韓國三星、日本東芝等同步,預計尋求2015年與產業界攜手將技術導入量產,屆時有機會取代DRAM等記憶體。2015年展開新一輪競爭工研院電光所所長劉軍廷表示,該所研發的MRAM為「垂直式自旋磁性記憶體」技術,近年來克服非對
行動裝置產品朝向快速、省電需求發展,新世代記憶體技術再度受矚目,其中磁性記憶體(Magnetic Random Access Memory,MRAM)能否克服技術瓶頸,進入量產,一直被拭目以待。工研院指出,目前已被使用的各種記憶體,從容量到速度各有不同的特性與定位。例如硬碟(HDD)儲存容量高,並具
由雲林科技大學、中正大學及彰化師範大學三校共同成立的台灣自旋科技中心,進行高密度磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)研發,技術向前跨進一大步,記憶元突破傳統界限可達50奈米以下,雲科大人文科技學院長吳德和指出,若能成功完成量測、運用,可望為台灣科技產業帶來新局面。
預期下半年DDRII記憶體產能需求將增加,DRAM封測廠投資設備主力均擺在DDRII記憶體,力成(6239)、泰林〔5466〕、南茂等封測廠第3季將持續擴增DDRII記憶體產能。日本DRAM大廠爾必達(Elpida)後段封測委外代工量越趨增加,今年將躍為力成最大單一客戶,力成接獲爾必達的DDRI、D