昨日加權指數,開低走高,終場下跌63.22點,跌幅0.53%,指數收在11817.1點;成交量1506.79億,台指期近月日盤成交量158970口,台指期夜盤上漲110點收在11898點,台指期夜盤成交量42403口,成交量增加,預期台指期短期波動率上升。外資淨部位增加7673口,留倉淨多單3457
記憶體意外事件頻傳,引爆價格提早反彈,受到南韓三星跳電事件影響,帶動買方備貨意願轉強。市場調查指出,第一季DRAM合約價格由原本預估持平轉為小漲5%以內;鎧俠火警事件,也衝擊儲存型快閃記憶體(NAND Flash)供應商昨停止報價與供貨,市場供應告急,預期恐牽動價格上揚。
受到南韓三星華城廠區發生跳電影響,市場調查指出,買方對各產品別的備貨意願進一步增強,預估2020年第一季DRAM合約價格由原估「大致持平」調整為「小漲」,價格正式提前翻轉向上。 TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,近月DRAM現貨價格持續走揚,加上2019年12月
三星電子今天發布消息,初步核實2019年全年營業利潤為27.7兆韓圜(約7675億元新台幣),年減52.9%,銷售額為229.5兆韓圜(約6.35兆元新台幣),年減5.85%,主因來自於晶片價格低迷。相關人士認為,由於三星電子2019年Q4的智慧型手機和儲存晶片業績好於預期,市場普遍認為,三星電子今
繼日前南韓三星旗下位於華城園區內的生產線發生短暫跳電事件,7日傳出原名為東芝記憶體的鎧俠 (Kioxia) 日本三重縣四日市的生產線發生火警,是否會衝擊儲存型快閃記憶體市況,將受到業界矚目。 鎧俠對客戶發出通知,指2020年1月7日上午6點10分,該公司位於日本三重縣四日市的Fab6工廠,內部設備發
兆勁(2444)2019年12月營收1.63億元,年增48.35%,累計全年營收達15.76億元,年成長30.36%。值得注意的是,2019年12月營收結構來看,網通事業、半導體相關及記憶體模組事業合計營收比重分別達38%、62%,半導體相關及記憶體模組事業營收貢獻已超越網通事業,正式成為兆勁主要業
記憶體價格止跌回升,帶動記憶體模組大廠威剛(3260)去年12月營收達24.81億元,年增19.03%,為去年單月營收次高,第四季營收71.1億元、季成長9.51%。 展望今年,威剛表示,全球記憶體新增產能有限,大型資料中心擴建、5G應用將推升對記憶體龐大需求湧現,威剛看好今年起記憶體產業景氣開始正
產業研究機構調查分析,今年首季NAND Flash(儲存型快閃記憶體)市況可望淡季不淡、合約價預期可上揚,漲價趨勢甚至有機會延續至第2季;南韓三星電子華城廠區近日跳電意外對記憶體市場影響預計不會太大,反而是近來市場需求增加、設備裝載容量提高,促使NAND Flash價格回溫攀升。
記憶體市況看好,記憶體大廠南亞科(2408)、記憶體封測大廠力成(6239)法說會搶先登場,南亞科率先於本月10日舉行,力成預計14日開辦,兩家都比龍頭股台積電(2330)的16日法說會提早。市場調查指出,歷經近5季度的庫存調整,第4季DRAM市場仍處於微幅供過於求,明年第1季DRAM可能呈現淡季不
南韓三星電子傳出日前位於華城的晶圓廠區發生短暫跳電事故,因跳電時間約僅1分鐘,多少影響該廠區DRAM、NAND Flash及採用極紫外光(EUV)技術的邏輯晶片生產,業界認為對記憶體目前供需市況影響有限,但消息面有助加速消化庫存,激勵記憶體族群今股價勁揚。
昨日加權指數,開高走低,終場下跌45.85點,跌幅0.38%,指數收在11976.38點;成交量1041.33億,台指期近月日盤成交量55384口,台指期夜盤上漲5點收在14025點,台指期夜盤成交量14762口,預期市場短期波動率下降。外資淨部位減少4297口,留倉淨多單36578 (TX+MTX
昨日加權指數,開低走低,終場下跌103.55點,跌幅0.85%,指數收在12018.9點;成交量1377.59億,台指期近月日盤成交量92209口,台指期夜盤上漲41點收在12072點,台指期夜盤成交量23255口,預期市場短期波動率增加。外資淨部位減少2049口,留倉淨多單42873 (TX+MT
美商記憶體大廠美光科技(Micron)新公布財報優於市場預期,並看好記憶體產業將觸底回升,激勵記憶體族群昨股價紛逆勢上漲。看好產業觸底回升受到記憶體價格下跌與需求疲軟的影響,美光最新公布的第一季財報,營收為51.44億美元,淨利為4.91億美元,雖都較去年同期下滑,但較前一季好轉,也較分析師預期略佳
半導體設備今股價表現熄火,但帆宣(6196)、家登(3680)2檔極紫外(EUV)相關設備股,仍然逆勢上漲。國際半導體產業協會(SEMI)昨將今年全球晶圓廠設備支出金額調高到566億美元,較去年減少7%,下滑幅度將低於原預期的18%水準。主要是記憶體的3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)投資
市場看好明年DRAM與NAND Flash兩大記憶體市場可望雙雙反彈,價格也看漲,利多激勵近期記憶體族群股價激昂,成交量也放大。研調機構IC Insights日前發布最新報告指出,因今年前3季價格持續下跌,DRAM與NAND Flash兩大記憶體市場都大幅下滑,估DRAM市場衰退達37%,在IC市場
昨日加權指數,開低走高,終場上漲72.93點,漲幅0.63%,指數收在11700.77點;成交量1289.94億,台指期近月日盤成交量92546,台指期夜盤上漲60點收在11764點,台指期夜盤成交量36204口,預期市場短期波動率增加。外資淨部位增加7939口,留倉淨多單49342 (TX+MTX
儲存硬碟(SSD,FLASH)驅動元件廠商,是全球前3大私募基金KKR在亞洲投資最久案子、長達11年;先前彭博報導,KKR有意將股權轉售給中國北京翰百赫( Beijing HBH Innovation Industry Fund)旗下一家子公司,交易金額逾6億美元,其中約4億美元將償付這筆聯貸。(
記憶體大廠旺宏 (2337)董事長吳敏求昨指出,明年NAND、NOR快閃記憶體可望供不應求,價格也將緩步上揚,他看好明年下半年將有漲價空間,旺宏產品打入一線大廠的5G基地台、自動駕駛、影像感測器等領域,預計明年下半年量產48層的3D NAND快閃記憶體,客戶訂單已掌握。
記憶體模組大廠威剛(3260)11月合併營收大幅攀升達25.1億元,月增18.46%、年增7.77%,創近14個月新高,月增18.46%,主要來自NAND Flash價格續漲、固態硬碟(SSD)需求強勁所帶動,威剛看好明年DRAM及NAND Flash需求將同步熱絡,記憶體產業多頭將再起。
研調機構IC Insights樂觀預期明年DRAM與NAND Flash兩大記憶體市場可望雙雙彈升,最看好明年NAND Flash市場將比今年成長19%,為成長最大的市場,DRAM成長12%,成長幅度為第3大市場,利多激勵記憶體族群今股價紛走紅,南亞科(2408) 、華邦電(2344)更創波段新高。