韓國朝鮮日報報導,三星電子近日召開為期兩天的全球戰略會議,討論今年下半年半導體業務,據悉新任裝置解決方案(DS)事業群首長金永鉉修改戰略目標,將取得輝達高頻寬記憶體(HBM)驗證,以及提升代工競爭力,縮小與台積電差距列為優先要務。報導說,這是5月甫上任三星DS事業群,負責半導體事務的副會長全永鉉主持
半導體設備巨頭艾司摩爾(ASML)預定2030年推出Hyper-NA極紫外光機(EUV),表示隨著半導體製程進入1奈米以下的埃米(angstrom)時代,該先進EUV是必要設備,不過朝鮮日報指出,該設備高昂的成本恐讓台積電、三星與英特爾望而卻步。
吳孟峰/核稿編輯三星希望從台積電手上搶訂單,但卻在3奈米製程技術陷入良率過低的瓶頸。報告顯示,三星可行產品的良率略低於20%,甚至傳出今年首季良率僅降至個位數,通常良率需高於60%才可順利大量生產,大幅提高良率成為三星艱難的任務。TrendForce分析師表示,三星採用3奈米製程的Exynos 25
高佳菁/核稿編輯輝達(NVIDIA)近幾日遭遇拋售潮,市值在3天內蒸發約4300億美元,週二重振旗鼓,股價大漲6.76%。華爾街研究機構Constellation Research創始人R“Ray”Wang看好輝達股價將持續成長,並表示輝達有7條護城河,可以幫助該公司在GPU市場上保持主導地位。
高佳菁/核稿編輯繼花旗將台積電(2330)目標價喊到1150元後,摩根大通報告指出,隨著數據中心和人工智慧的需求加速,特別是N3和N5製程技術的漲價以及先進封裝技術(CoWoS)價格的上漲,將推動台積電毛利率上漲至50-60%,因此,將其目標價上調到1080元。
吳孟峰/核稿編輯三星代工在美國三星代工論壇(SFF)上公佈其先進晶片製造技術的更新路線圖,其中包括2奈米級製程、1.4奈米級製造的計劃,以及背面供電的引入,所有這些預計將在3年內實踐。2025年三星將推出SF2製程,以前稱為SF3P。此次重命名反映了2奈米級製程技術在功耗、性能和面積指標方面的改進。
《EE Times》報導,艾司摩爾(ASML)再度宣佈新曝光機計畫,預定2030年推出的Hyper-NA極紫外光機(EUV),將縮小最高電晶體密度晶片的設計限制。艾司摩爾前總裁Martin van den Brink宣佈,約在2030年將提供新的Hyper-NA EUV技術。目前仍處於開發初期階段的
吳孟峰/核稿編輯綜合外媒報導,美國採取限制中國獲得用於人工智慧(AI)應用的先進半導體架構和高階記憶體晶片,可能會導致中國無法獲得台積電和三星電子等領先晶圓代工廠的晶片。根據彭博引述消息人士的報導,拜登政府正考慮對中國獲得被稱為「閘極全環」(GAA)的尖端晶片架構和高頻寬記憶體(HBM)人工智慧
吳孟峰/核稿編輯花旗分析師對英特爾的製造能力變得更加樂觀,認為英特爾到2025年下半年可以在製造業方面與台積電競爭。花旗對英特爾的「4年5個製程」策略產生了信心。然而,花旗解釋,由於某些世代,例如英特爾7和10奈米之間的相似性,英特爾的路線圖可能更像是「4年內的3個製程」。