韓國朝鮮日報報導,三星電子近日召開為期兩天的全球戰略會議,討論今年下半年半導體業務,據悉新任裝置解決方案(DS)事業群首長金永鉉修改戰略目標,將取得輝達高頻寬記憶體(HBM)驗證,以及提升代工競爭力,縮小與台積電差距列為優先要務。報導說,這是5月甫上任三星DS事業群,負責半導體事務的副會長全永鉉主持
半導體設備巨頭艾司摩爾(ASML)預定2030年推出Hyper-NA極紫外光機(EUV),表示隨著半導體製程進入1奈米以下的埃米(angstrom)時代,該先進EUV是必要設備,不過朝鮮日報指出,該設備高昂的成本恐讓台積電、三星與英特爾望而卻步。
吳孟峰/核稿編輯三星希望從台積電手上搶訂單,但卻在3奈米製程技術陷入良率過低的瓶頸。報告顯示,三星可行產品的良率略低於20%,甚至傳出今年首季良率僅降至個位數,通常良率需高於60%才可順利大量生產,大幅提高良率成為三星艱難的任務。TrendForce分析師表示,三星採用3奈米製程的Exynos 25