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經濟部產業發展署近期公告「化合物半導體設備發展推動計畫」,將鎖定協助業者加速開發8吋碳化矽設備技術,逐步建置我國化合物半導體設備的自製能量;另零組件採用國產的比例達80%,核定補助款可額外加碼最高20%。產發署指出,碳化矽(SiC)化合物半導體具高硬度及高熔點特性,目前生產碳化矽晶圓所需的超高溫長晶