美國晶片大廠英特爾表示,將斥資25億美元在中國大連市興建12吋晶圓廠,這項舉動意味了生產策略的重大調整,也顯示英特爾為了取得中國市場,寧願承擔風險。英特爾表示,在中國設廠目的是希望能接近聯想、戴爾等晶片買家,這是英特爾15年來首度興建新廠。英特爾執行長歐特里尼表示,名為Fab 68的這座新廠將在今年
力晶〔5346〕、茂德〔5387〕、南科(2408)、華亞科(3474)等國內DRAM廠,第二季起將陸續從90奈米製程推進到70奈米製程,估計良率持穩後,將有助降低製造成本三成以上。DRAM價格下滑,今年第一季各家DRAM廠的毛利率雖比去年第四季降低,各約在三成上下,業者預估推進70奈米製程後,毛利
中國國家發展和改革委員會表示,已批准英特爾在東北的大連投資25億美元,興建一座12吋晶圓廠,將使用90奈米製程。不過英特爾對此項消息並未證實。華爾街日報報導,發改委是在其官方網站上發佈此一公告。不過英特爾在北京的主管及加州聖塔克拉拉的總部,均拒絕就此消息發表評論,僅表示該公司並未對此作正式宣佈。分析
南科(2408)昨表示,3月份合約價將比2月份續跌13-15%,3月下旬可望止跌回穩,但由於出貨量增加與成本下降,第一季獲利將不錯。法人估南科第一季每股盈餘有逾1元實力。南科昨舉行法說會,總經理連日昌中午跟記者會面時,指出今年DRAM市場景氣起伏大,上半年景氣趨淡,寄望下半年能快速回升。南科今年位元
IC設計服務類股新春開紅盤表現兩樣情,創意(3443)跳空跌停,反觀智原(3035)則接棒演出漲停。創意上次解除處置交易後,封關前再度大漲,封關日以293元創下掛牌後新高價;不過證交所再祭出特別處置,由昨日起至3月9日共十個交易日,每30分鐘人工撮合分盤交易,以及對委託買賣全數預收款券,昨日甫開盤便
聯電(2303)昨日舉行法說會,並公告去年營運數字。受到去年第四季獲利衰退拖累,全年稅後盈餘326.19億元,雖較前年成長364.2%,但EPS僅1.81元,較市場原先預期的兩元來的低。董事長兼執行長胡國強說,第一季是傳統淡季,將持續庫存去化。預期第一季晶圓出貨量將較去年第四季減少5%到6%,產能利
竹科管理局邀約台積電(2330)、力晶半導體〔5346〕、世界先進〔5347〕三家半導體大廠,於4月間一起舉行12吋廠聯合開工大典,這在台灣產業投資建廠氣勢堪稱空前,卻因土地徵收進度延遲而增添變數。台積電、力晶與世界先進將在竹科園區三、五路建12吋晶圓廠,總投資額估高達3,600多億元,竹科管理局原
台積電(2330)昨日召開董事會,敲定去年股利政策,每股將配發3元現金股利、0.05元股票股利,現金比重高達98.36%,創下歷年來現金股利比例最高紀錄。避免股本過度膨脹,台積電近三年股利政策偏向以現金為主,2004年發放2.5元股利,其中現金占二元;2005年配發2.8元股利,現金占2.5元;去年
DRAM大廠力晶〔5346〕昨公布營收,元月營收達117.31億元,較去年同月成長144%,連續第十個月打破營收紀錄,但股價還是小跌0.15元。力晶去年獲利創新高,第四季營益率更達43%,較市占率較高的奇夢達、美光等都來得好,更勇奪獲利能力之冠,今年元月營收持續攀高,較去年12月還成長3%,再度改寫
台積電 (2330)總執行長蔡力行昨指出,今年半導體業成長率僅4%~6%,比去年減半,第一季將是業界辛苦的一季,也是台積電谷底,毛利率最高下滑9個百分點,3月底會漸復甦。去年EPS達4.92元台積電昨公布去年第四季與全年財報,第四季營收與獲利皆比第三季衰退,但都在法人預期內,全年則繳出亮麗成績,營收
DRAM大廠力晶〔5346〕去年獲利超過市場預期,激勵DRAM股昨日股價續上揚,對於力晶董事長黃崇仁為公司股價叫屈,有的外資認同改喊加碼買進,有的外資仍不認同。位於中科后里的瑞晶,為力晶與日商爾必達合資的DRAM廠,預計5月完工裝機,從70奈米製程切入量產,今年月產能目標為三萬片,力晶預估瑞晶今年營
DRAM大廠力晶〔5346〕昨舉行法說會,去年全年稅前淨利291.4億元,每股稅後純益4.48元,比市場預期高,預計今年營收將比去年成長逾五成。展望今年第一季,力晶董事長黃崇仁表示,今年DRAM價格直到上週才看到明顯跌價,有別於往年12月15日之後就跌價走勢,目前現貨市場庫存水位不高,近期現貨價跌,
去年第四季DRAM價格走勢平緩,國內DRAM廠積極擴增產能,全產能並推升到12吋廠90奈米製程,大幅降低生產成本,使得單季盈餘比法人預估為高。DRAM市場調查機構指出,以512M DDR2的每顆生產成本為例,力晶〔5346〕、茂德〔5387〕約分居全球DRAM廠最佳成本化前二名,每顆約二美元,即使以
國內DRAM廠繼去年全面提升製程到90奈米,今年續朝70奈米先進製程前進,茂德〔5387〕、力晶〔5346〕、南科(2408)、華亞科〈3474〉四大DRAM廠,紛紛展開70奈米製程試產競賽,預計第三季、第四季將先後導入量產,良率高低將攸關各家營運成本降低競爭賽。
外電昨天指出,力晶〔5346〕將與日本第二大晶片製造商瑞薩(Renesas)科技在日本合資晶片設計公司Vantel,力晶昨證實,力晶將佔65%股權,瑞薩佔35%,雙方將合作開發記憶體系統單晶片先進產品,Vantel也會是力晶晶圓代工客戶之一。
台積電(2330) 昨公佈去年12月營收雖較11月下滑,但全年營收一舉突破3,000億元大關,高達3,138.82億元,比前年成長18.6%,不僅創下歷史新高紀錄,也大幅領先聯電(2303)的1,041億元,彼此逾2,000億元差距為歷年來最高。
DRAM廠華亞科(3474)昨公布去年12月營收,達43.33億元,創歷史新高,較11月成長25%,為四大DRAM廠單月成長最高。茂德〔5387〕去年12月營收78.2億元,比11月成長7.5%,並連續第七個月創營收新高紀錄。力晶半導體〔5346〕去年12月營收113.81億元,比11月成長近3%,
力晶〔5346〕累計去年全年總營收為921.15億元,年成長率高達78.48%,法人估力晶今年營收將達1,500億元,獲利可望達500億元,比去年大幅成長。DRAM廠力晶將在台灣大手筆投資興建12吋廠,今年第二季在竹科動土興建二座12吋廠,未來中科不包括與爾必達合資的瑞晶投資的四座12吋廠在內,將續
力晶〔5346〕自結2006年12月營收達113.81億元,較2005年同月勁揚158.89%,並連續第9個月創新高營收紀錄。展望今年,力晶董事長黃崇仁認為,今年該公司位元產出成長可望比去年成長五成,元月營收將續創新高,第一季DRAM景氣保守中帶樂觀。
四大DRAM股茂德〔5387〕昨公布2006年12月營收78.2億元,比前年同期勁揚223%,較11月則成長7.5%,連續七個月創營收新高紀錄。法人預期力晶〔5346〕、華亞科(3474)12月營收也可望創新高,第四季單季營收與獲利皆締造歷史新紀錄。