吳孟峰/核稿編輯三星代工在美國三星代工論壇(SFF)上公佈其先進晶片製造技術的更新路線圖,其中包括2奈米級製程、1.4奈米級製造的計劃,以及背面供電的引入,所有這些預計將在3年內實踐。2025年三星將推出SF2製程,以前稱為SF3P。此次重命名反映了2奈米級製程技術在功耗、性能和面積指標方面的改進。
《EE Times》報導,艾司摩爾(ASML)再度宣佈新曝光機計畫,預定2030年推出的Hyper-NA極紫外光機(EUV),將縮小最高電晶體密度晶片的設計限制。艾司摩爾前總裁Martin van den Brink宣佈,約在2030年將提供新的Hyper-NA EUV技術。目前仍處於開發初期階段的