陳麗珠/核稿編輯韓媒報導,SK海力士最新一代記憶體產品HBM4E,可望於2026年量產,比原先預估提早約1年。韓媒《The Elec》報導,受惠於生成式AI浪潮,AI伺服器需求大爆發,HBM熱賣,率先量產HBM3E(第五代HBM)的SK海力士產能被預訂一空,目前正加速研發HBM4E,希望甩開三星、美
吳孟峰/核稿編輯針對半導體產業協會(SIA)研究報告,南韓先進晶片製造的市占可能在2032年降至9%,大幅落後美國躍升至28%,對此,韓媒警告,若SIA的預測成真,韓國的先進晶片製造市占大幅滑落,恐導致國家級災難。韓國《朝鮮日報》社論指出,根據SIA、波士頓諮詢集團(BCG)最近釋出的研究報告,到2
美國半導體產業協會(SIA)和波士頓顧問集團(BCG)報告顯示,美國在10奈米以下先進晶片的生產能力突飛猛進,預料至2032年,其全球產能佔比上升至28%,遙遙領先中國的2%。南華早報報導,美國的進展部份歸功於2022年通過、旨在振興美國晶片製造能力的晶片科學法,比如台積電已同意在亞利桑那州興建一座
南韓媒體《BusinessKorea》報導,最新分析預測,在大規模補貼下,至2032年,美國在10奈米以下先進半導體的全球產能將從10年前的0%上升至28%,同時期,南韓在全球先進半導體的生產佔比預計將從31%萎縮至9%,台灣則從69%下滑至47%,但仍穩居全球龍頭。
美半導體協會:2032年美國10奈米以下製程達28% 中國僅2趴《日經亞洲》報導,美國半導體產業協會(SIA)和波士頓顧問公司(BCG)發布報告指出,到二○三二年時,美國的半導體產能將增加逾二倍,並能生產十奈米以下最先進晶片,很大程度上可歸功於二○二二年八月生效的「晶片與科學法」;反觀中國將僅占二%