吳孟峰/核稿編輯美國記憶體晶片生產商美光科技(Micron Technology) 已開始量產用於生成式人工智慧和高效能運算的高頻寬記憶體HBM3E,韓國媒體報導,美光擊敗主導廠商三星電子和SK 海力士,達到新的里程碑。美光出人意料地宣布,其HBM3E晶片將整合到輝達的頂級 H200 GPU 中,該
高頻記憶體是什麼?高頻寬記憶體(HBM/High Bandwidth Memory)是由動態隨機存取記憶體(DRAM)堆疊,再透過3D先進封裝而成,以此加大頻寬與儲存空間,與傳統DRAM相比,HBM的頻寬更高,能運送的資料量也更多,隨著AI的興起,市場對HBM的需求也跟著大增。
美國商務部長雷蒙多表示,在先進晶片的整個供應鏈,包括研發、原料到封裝都回流美國的情況下,美國將能在二○三○年時製造全球二十%的先進晶片,並矢言要確保台積電在亞利桑那州的投資案取得成功。雷蒙多二十六日在華府智庫「戰略與國際研究中心」發表演說指出,如果美國依賴幾個亞洲國家提供最先進的晶片,美國將無法領導
鑽石碟暨再生晶圓廠中砂(1560)今公布去年稅後盈餘8.52億元、年減31.7%,每股稅後盈餘5.91元,創歷史次高紀錄;董事會決議股利分派,擬盈餘配發現金股利2.5元,另以資本公積發放1.5元現金股利,合計4元現金股利,跟去年持平,以今收盤價268元估算,殖利率約1.49%。
記憶體廠旺宏(2337)去年每股稅後虧損0.92元,今召開董事會(27)仍決議配發現金股利,擬每股配發0.5元現金股利,連續6年配發股利因此得以延續,沒有中斷。因整體半導體業環境不景氣,旺宏三大記憶體產品線與晶圓代工皆受到衝擊,去年全年營收276.24億元、年減36%,毛利率24.5%,下滑19.7
半導體矽晶圓大廠環球晶(6488)今日召開董事會,會中通過2023年度財報,稅後淨利為197.7億元,年增28.6%,賺超過4.5個股本,稅後淨利率為28%,年增6.1%,稅後每股盈餘達45.41元,較前一年度成長10元以上,創獲利新高。展望今年,預估市場可望逐步復甦,環球晶下半年表現將比上半年健康
歐祥義/核稿編輯中國企業正忙於儲備晶片製造設備零件,為下一階段的晶片大戰儲備物資,也為日本半導體材料、設備商帶來強勁的訂單,推動日本晶片設備業績亮眼,1月業績再度突破3000億日圓(約新台幣630億元),創9個月新高紀錄。日本半導體製造裝置協會(SEAJ)公佈數據,2024年1月日本製晶片設備銷售額
吳孟峰/核稿編輯三星電子週二(27日)表示,已經開發出一種新型高頻寬記憶體晶片(HBM),具有業界「迄今為止最高容量」。三星聲稱HBM3E 12H「將性能和容量提高了50% 以上」。三星電子記憶體產品規劃執行副總裁Yongcheol Bae表示,業界的AI服務供應商越來越需要更高容量的HBM,而我們
歐祥義/核稿編輯記憶體大廠美光(Micron)表示,已開始量產用於輝達(NVIDIA)最新AI晶片的高頻寬記憶體(HBM),帶動美光週一(26日)股價狂飆,盤中漲幅一度超過7%,來到近2年高點,收盤漲逾4%。綜合外媒報導,美光的HBM3E將應用於輝達次世代的H200 GPU(圖型處理器),使新款晶片
記憶體模組廠宇瞻(8271)私募發行新股,獲工業電腦大廠研華(2395)參與認購,此一利多帶動今盤中股價再拉第2根漲停,達73.4元、上漲6.6元,連5漲並創波段新高,不過之後漲停打開,截至9點35分,股價暫報71.5元,上漲7%。宇瞻私募發行新股,工業電腦大廠研華轉投資子公司研華投資上週五公告斥資
韓國媒體ET News 26日報導,韓國業界人士透露,SK海力士計畫斥資2兆韓元(477億台幣),購買8台艾司摩爾(ASML)極紫外光曝光機(EUV),作為推出新一代記憶體的一部分投資。報導說,SK海力士2021年首度裝置EUV,目前有5台EUV設備,今年若完成8台的裝置,將具有13台先進的EUV曝
代工大廠廣達(2382)今天表示,旗下資料中心與5G解決方案領導供應商雲達科技(QCT)揮軍今年度的世界行動通訊大會(MWC),雲達總經理楊麒令表示,目前全伺服器產品線與整合式解決方案都已配備英特爾Xeon可擴充處理器,包括即將上市的「EGX77B-1U」行動邊緣運算(MEC)伺服器。
記憶體模組廠宇瞻(8271)私募發行新股,獲工業電腦大廠研華(2395)參與認購,帶動今股價開高走高,盤中拉上漲停66.8元、上漲6元,創波段新高,截至12點57分,成交量超過6千張,漲停委買張數逾4百張。宇瞻私募發行新股,工業電腦大廠研華轉投資子公司研華投資上週五公告斥資2.9億元,取得宇瞻604
專家︰邏輯IC領域「輸太多」應引進矽智財、IC設計、先進封測等台積電熊本廠正式開幕,掀起日本半導體產業復興的討論;半導體業界人士認為,日本除了汽車之外,在AI的邏輯IC領域,沒有輝達、超微或聯發科等設計公司,資料中心、PC、手機的應用面也大幅落後,日本要復興半導體,在AI新商機的競爭力須急起直追,補
陳麗珠/核稿編輯AI大爆發,HBM(高頻寬記憶體)需求激增,SK海力士副社長金起台(Kim Ki-tae)證實,今年旗下HBM已經全部售罄。美光執行長梅羅特拉(Sanjay Mehrotra)則早在去年12月財報會議上就指出,2024年HBM產能已賣光。
吳孟峰/核稿編輯三星2023年獲利暴跌,南韓最大的報紙《朝鮮日報》曾發表一篇評論文章,稱情況惡化「不僅是三星的問題,也是所有南韓人的問題」。相較於競爭對手台灣半導體業的積極擴張,日本半導體產業正走向復甦,南韓半導體產業則努力回到正軌。韓國媒體《The Kores Time》的社論則點出南韓晶片產業正
台積電日本熊本一廠將於24日開幕,成為繼2018年南京廠之後,台積電第一座進入營運的海外晶圓廠。台積電熊本廠引發台資與日資企業在日本的投資熱潮,諮詢公司貝恩合夥人韓布利(Peter Hanbury)說,台積電日本廠的進展相當「非凡」,該成功故事對於協助半導體業者於新地區進行重大投資上,意義與補貼一樣
DRAM廠南亞科(2408)總經理李培瑛昨指出,展望今年整體市況,DRAM市場持續受到AI應用帶動HBM(高頻寬記憶體)需求,加上DDR4轉換DDR5,預期今年需求將逐季改善、價格有機會逐步上漲,南亞科營運也朝逐季改善為目標,將挑戰今年年中達損益兩平。
台積電日本熊本一廠今日開幕。日本讀賣新聞報導,繼台積電熊本一廠獲四七六○億日圓(約一千億台幣)補貼後,日本政府決定補貼熊本二廠七三○○億日圓(約一五五五億台幣);麥格理資本證券日本研究部主管達米安.宋形容,台積電日本設廠獲得日本半導體產業支持,「它們繞著它建立了雪球效應」,而日本更希望台積電協助復興
DRAM廠南亞科(2408) 今董事會通過2024年資本支出預算案,因應新廠興建、1B製程技術製程轉進等,資本支出預算以不超過新台幣260億元為上限,其中生產製造設備類預算約5成,預期全年位元成長率超過20%。對於DRAM市況,南亞科總經理李培瑛預估,今年DRAM需求逐季改善,價格逐步上漲。