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台灣科研再下一城!國科會推動半導體二維材料領域,由台師大、陽明交大、成大、台大與國研院半導體中心共同合作,成功開發出二硫化鉬的創新鐵電電晶體,可突破現在半導體矽晶圓的極限,實驗生成最薄僅1.3奈米厚度,更同時具有儲存及運算雙特性,有望成為先進半導體技術的核心,研究成果已登上國際期刊《自然電子》,未來