台積電(2330)昨公布第三季稅後盈餘303.7億元,比第二季成長19.2%,每股盈餘1.15元,累計前三季每股盈餘2.83元,第四季營收與獲利將持續攀升;總執行長蔡力行指出,明年半導體業將成長5%到9%,比今年成長率4%為佳,但台積電明年資本支出將縮減。
力晶半導體〔5346〕與日本爾必達合資成立的瑞晶電子,昨天舉行第一座12吋廠落成啟用典禮;董事長黃崇仁表示,瑞晶全部採70奈米先進製程產1G產品,極具成本競爭力,明年將開始獲利,預期目前DRAM價格已到谷底,明年2月價格可望回升。黃崇仁指出,DRAM價格持續低迷的原因,一為市場預期的微軟新作業系統V
全球NOR Flash(快閃記憶體)龍頭廠飛索半導體(Spansion)昨指出,第四季將委由台積電(2330)12吋廠以65奈米代工量產NOR Flash,另NOR Flash也與聯發科(2454)的手機晶片搭配,雙方計畫攜手切入中國市場,再進軍全球。Spansion與台積電、聯發科結盟,預期對台灣
DRAM價格持續疲軟,看漲不漲,但記憶體封測廠在DRAM廠持續擴產與製程推升之下,反而受益,力成(6239)預期第三季比第二季成長,第四季更旺。力成指出,DRAM廠製程全面轉進70奈米,為了降低成本,全力展開量產,且為了保障DDR2的產品品質,測試時間拉長,這使得目前DRAM封測產能呈現滿載盛況。
光罩(2338)、翔準〔3087〕預期第三季步入旺季,0.13微米製程的光罩出貨量增加,營收與獲利將可望超越第二季營運。光罩上半年營收累計為14.18億元,比去年同期衰退逾一成,其中第二季更比第一季小幅衰退。不過,因0.13微米製程在第二季已開始小量出貨,加上處分嘉晶 (3016)持股570張,使得
DRAM業第二季財報今起將陸續出爐,預料出現虧損居多,但外資券商樂觀看待DRAM產業,重申力晶〔5346〕、茂德〔5387〕評等「優於大盤」。茂德董事長陳民良昨指出,第二季該公司呈虧損狀態,不過,7月起客戶端需求已上揚,70奈米智製程良率穩定,有助降低成本,預期第三季產品平均單價(ASP)將比第二季
512M DDR2現貨價近日雖續漲,但現貨價投機性買盤濃厚,是否代表DRAM市場真正明顯回溫,恐需再多加觀察。從需求面而言,自6月以來,DRAM現貨價陸續出現波段上漲,實際銷售卻因Vista效應還未如預期發酵,歐洲、中國等地的PC市場買氣還未看到加溫,DRAM需求並沒真正出現。
國內兩大IC設計服務業者5月的業績表現有別,創意(3443)的光芒勝過智原(3035),創意第二季營收可望創下單季新高紀錄。 創意自結5月營收5.11億元,較4月增加9.2%,呈現出淡季不淡的景況。智原自結5月營收為3.8億元,較4月微幅減少2.56%,相對而言不盡理想。
八吋晶圓廠伴隨著台灣半導體業走過成長高峰期,尤其是生產DRAM(動態隨機存取記憶體)的八吋晶圓廠,近年來隨著12吋廠先進製程崛起,逐漸轉型代工,陸續進入除役階段。DRAM生產製造已進入12吋廠為主流,製程技術今年漸由90奈米提升到70奈米,八吋廠競爭力漸消失,南科(2408)、茂德〔5387〕、力晶
DRAM業首度釋出下半年市況不太樂觀訊息。台塑集團旗下DRAM大廠南亞科(2408)昨指出,儘管近日DDR2報價出現「超跌反彈」現象,但預期6月售價僅將為持平或小漲,第二季獲利機會不多,下半年供給過剩市況會因需求增加而改善,不過,價格高點恐僅達2-2.5美元。
台積電(2330)昨宣布超微(AMD)繪圖處理器產品線下單該公司,採65奈米製程技術量產。法人預期台積電下半年65奈米佔營收比重將提高到接近一成。台積電近期在高階製程接單陸續有斬獲,目前90奈米製程佔營收比重已達二成以上,預估今年中65奈米製程將佔約5%比重,下半年可望持續增加。
DRAM合約價5月下旬續跌,顯示市場庫存仍高,法人預估DRAM廠第二季可說虧定了。市場調查指出,5月下旬DRAM合約價持續下跌,雖然比上旬跌幅縮小,但價格已在業者生產成本之下,例如DDR2 512Mb 667MHz顆粒均價約為1.5-1.6美元之間,比上旬合約價1.9-1.75美元下跌。現貨價也因通
台積電(2330)昨與全球最大純快閃記憶體(Flash)供應商Spansion簽署合作協議,雙方共同開發40奈米MirrorBit技術及更先進製程的變異處理技術,攜手合作更進一步。台積電總執行長蔡力行表示,透過與Spansion的合作,使得台積電能夠提供更多樣的技術,增加台積電參與快速發展的快閃記憶
台積電 (2330)總執行長暨總經理蔡力行昨天表示,今年第一季跟去年同期比,景氣較弱,該公司每股盈餘0.73元,但從3月起景氣已復甦,台積電第二季營收將比第一季成長約12%到15%,毛利率與營業利益率也同步回升,他並透露,將會多佈局記憶體代工領域。
DRAM廠茂德〔5387〕第一季稅後淨利43.3億元,每股盈餘0.66元,比預期0.6元稍佳。董事長陳民良認為第二季是谷底,第三季市場需求將上揚。茂德去年第一季虧損5.18億元,今年第一季雖DRAM價格下滑幅度高,但中科廠產能開出帶動成本持續下降,致使第一季毛利率達35.7%水準。陳民良認為,4、5
DRAM廠力晶〔5346〕第一季每股盈餘1.1元,雖比同業華亞科 (3473)的1.25元為低,但符合市場預期。力晶總經理謝再居表示,4月應為DRAM價格谷底,5月中可望回溫,第二季是否獲利目前難估,跌價壓力對今年DRAM業將是優勝劣敗關鍵的一年。
DRAM廠力晶〔5346〕昨公布3月營收80.16億元 ,比2月下滑13%,茂德 〔5387〕3月營收52.3億元,比2月微幅成長。DRAM廠第一季可望仍維持獲利,但預期4月起的第二季為谷底期,獲利面臨高挑戰。力晶3月營收衰退力晶3月營收雖比2月衰退,但比去年同期成長59.17%;茂德3月營收較2月
上游晶圓廠與IC設計業客戶接單擺脫谷底,光罩業第二季營運可望比第一季增溫。台灣光罩(2338)以國內消費性IC客戶為主,0.35、0.5微米成熟製程接單穩定,隨著客戶端擺脫第一季營運谷底,第二季將緩步上揚,光罩也預期營運增溫。翔準先進〔3087〕產品以0.13、0.18微米製程為主,佔營運比較約一半
美國晶片大廠英特爾表示,將斥資25億美元在中國大連市興建12吋晶圓廠,這項舉動意味了生產策略的重大調整,也顯示英特爾為了取得中國市場,寧願承擔風險。英特爾表示,在中國設廠目的是希望能接近聯想、戴爾等晶片買家,這是英特爾15年來首度興建新廠。英特爾執行長歐特里尼表示,名為Fab 68的這座新廠將在今年
力晶〔5346〕、茂德〔5387〕、南科(2408)、華亞科(3474)等國內DRAM廠,第二季起將陸續從90奈米製程推進到70奈米製程,估計良率持穩後,將有助降低製造成本三成以上。DRAM價格下滑,今年第一季各家DRAM廠的毛利率雖比去年第四季降低,各約在三成上下,業者預估推進70奈米製程後,毛利