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晶圓代工廠聯電今(2)日宣布,推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案,此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將晶片尺寸縮小45%以上,使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件,以滿足5G更大的頻寬需求,該製程已獲得多項國際專利,準備投入量產。