市場估明年新一代iPhone手機採行動記憶體(Mobile DRAM)的容量將加倍,帶動行動記憶體需求使用量也翻倍。法人認為,美光的行動記憶體主要出貨給蘋果,供應鏈的華亞科(3474)及委外封測代工廠力成(6239)、華東(8110)及南茂(8150)將得利。
記憶體四大天王三星、東芝、海力士、美光今年全力搶攻高容量NAND Flash(儲存型快閃記憶體),退出低容量NAND Flash行列,但在物聯網快速崛起下,低容量NAND Flash需求暴增,今年以來呈現供不應求的熱況,成為台廠新藍海,目前台廠中僅有力晶、旺宏(2337)、華邦(2344)、宜揚(3
受惠伺服器應用記憶體需求持續不弱,iPhone 6又熱銷,記憶體出現產能轉移行動記憶體的效應,加上韓國大廠三星電子也宣示明年不會爆發價格戰,DRAM業陰霾解除,10月上旬DRAM合約價立即應聲上漲,淡季反而不淡。第四季向來為DRAM傳統淡季,業界原本對價格也看跌,但蘋果新上市iPhone 6與iPh
受惠行動記憶體與伺服器應用記憶體需求持續不弱,加上產能轉移效應,原預估下滑的DRAM合約價格出現逆轉,市場調查今指出,10月上旬DRAM合約價低價到32.5美元,漲幅達4.84%TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示,10月上旬DRAM合約價格大抵議定完成,4G
市場預估下半年DRAM吃緊,價格可望續上漲,買方可能有錢買不到貨,這熱況不僅華亞科(3474)、南科(2408)時來運轉,獲利會比上半年好,連已下市的力晶也有機會翻身。根據集邦昨顯示DRAM報價行情,主流產品DDR3 4Gb顆粒現貨報價,最高價為4.35美元,均價為4.258美元;2Gb顆粒現貨最高
小米科技透過破壞式價格、饑餓行銷快速在市場竄起,但已讓不少中國同業看不慣這種「損人利己」的銷售模式,包括中興、華為、酷派及聯想等「中華酷聯」,今年都將投入類似的破壞式價格網路通路戰,加上小米科技因專利問題,短期間內難以走向國際市場,「秒殺」風光的背後恐藏著內憂外患。
彭博引述知情人士透露,南韓SK海力士(SK Hynix)正計畫明年在當地蓋新晶片廠,投資至少4兆韓元(約38億美元),最早在2015年初量產DRAM(動態隨機存取記憶體),以滿足行動裝置日漸升高的需求。SK海力士為全球第二大記憶體晶片製造商,擬藉著投資廠房、維修與現存設備技術升級,供應智慧手機、平板
DRAM受到市場需求面不佳影響,SK海力士也移轉產能並陸續產出,供需吃緊市況漸漸獲得紓解,致使11月上旬DRAM合約價走向持平,預期第4季合約價將不如市場預期樂觀,改朝持平或小幅下跌的價格走勢發展,這恐影響DRAM廠獲利。市場調查機構DRAMeXchange指出,時序進入傳統出貨淡季,全球市場對DR
外資大和證券表示,明年中國智慧手機的規格將更為提升,包括記憶體、多核處理器、面板及鏡頭等。預估明年中國手機出貨,四核以上晶片占逾7成,聯發科解決方案仍領先市場。大和對聯發科(2454)維持買進評等,目標價395元。大和證券在最新法人報告中預估,中國明年度的智慧手機成長強勁,預估今年度出貨可望增加43
今年第四季DRAM市況將很不一樣,繼上月初SK海力士(Hynix)火災之後,昨又傳出DRAM模組廠金士頓(Kingston)委由力晶代工的生產製程上週出問題,導致約有7千6百片DRAM產能可能報銷,這使得供需吃緊的DRAM市況將出現短缺,後市價格看漲到年底。法人預估,DRAM廠華亞科(3474)全年
SK海力士無錫廠大火效應擴大,除了標準型DRAM現貨主流顆粒2Gb飆漲36%,帶動9月份合約價可望上漲10%以上,近期繪圖用記憶體的供給也告急,伺服器、利基型記憶體勢必跟進,預期以利基型記憶體為主的南科(2408)與華邦(2344)將受惠。
DRAM(動態隨機存取記憶體)廠紛傳出客戶下單量增加,供貨缺口擴增,顯見市況缺貨疑慮加深,市場預期後續合約價將上漲,不過,SK海力士(Hynix)昨向客戶通知中國無錫廠將於11月底全面恢復生產,客戶端半信半疑,多認為即使恢復生產,初期良率也會受影響。
市場調查指出,SK海力士無錫廠因採雙子星廠房設計,火災意外雖保住一半產能,但因目前全面停工,估影響投片至少有2個月、26萬片產能受損,預期第4季DRAM合約價格將翻揚,PC代工廠將出現庫存短缺,新美光集團及三星將受益;這對華亞科(3474)、南科(2408)等台廠的第4季營運將有利。
全球第2大DRAM廠SK海力士宣稱中國無錫廠已恢復部分運作,但何時完全恢復運作還不清楚,DRAM廠華亞科(3474)、南科(2408)及模組廠也抱持觀察市況的謹慎態度,不積極報價,DRAM現貨價繼上週連續2天大漲2成以上,昨續小漲,主流產品DDR3 2Gb最高報價超過2美元,均價也已回漲接近2美元的
第3季旺季不旺的DRAM市場,被上星期突發的SK海力士(Hynix)中國無錫廠爆發火災點燃價格漲風再起,目前影響程度雖還不明確,但市場預期心理的推波助瀾帶動,將對近期DRAM價格造成波動,DRAM廠華亞科(3474)、南科 (2408)及利基型DRAM廠華邦電(2344)都可望受惠。
全球第2大DRAM(動態隨機存取記憶體)廠SK海力士(Hynix)中國無錫廠爆發火災,因該無錫廠佔全球DRAM總產能逾1成,引發DRAM市況再度升溫,市場缺貨疑慮帶動DRAM主流產品昨報價應聲大漲近20%,DRAM廠華亞科(3474)、華邦電(2344)、南科(2408)股價應聲漲停,模組廠威剛(3
DRAM(動態隨機存取記憶體)現貨價跌深反彈,昨日續漲,主流產品2Gb顆粒漲幅趨緩至1%上下,新出爐的合約價則持平,市場認為,PC出貨量仍疲弱,DRAM需求不振,這波現貨價反彈,僅為短期正常波動,後市趨勢將緩跌;不過,現貨價反彈,帶動類股昨日強漲。
第3季旺季來到,儘管PC需求仍無起色,但行動裝置產品對DRAM需求增加,市場預期市況供給持續處於不足缺貨狀態,價格趨向緩漲。法人預期,南科(2408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)等DRAM族群,第3季營運趨樂觀。全球市場研究機構DRAMeXchange調查,PC產業衰退,DRAM需求也受
DRAM後市看多,華亞科(3474)、華邦電(2344)及記憶體模組相關個股昨強勢掀漲停,法人預期隨著價格行情好轉,華亞科6月營收可望攀升近50億元,單月獲利將超越5月的10.64億元,月增4、5成以上。華邦電明天將召開股東會,總經理詹東義表示,目前DRAM需求並沒有顯著加溫,但因三星等大廠移轉產能
值第二季傳統淡季,DRAM因缺貨而出現價格持續上漲,DRAM廠華亞科(3474)率先確定第二季獲利,南科(2408)、華邦電(2344)也可望獲利,台系DRAM廠宣告單季全面獲利可期,第三季隨著旺季到來,預期缺貨加劇,各家廠商獲利將會更佳。