記憶體大廠美光科技 (Nasdaq: MU) 今(25)日宣布推出232層QLC儲存(NAND)記憶體,將整合至部份Crucial消費型SSD產品中,目前 Crucial SSD已正式量產並向企業儲存裝置客戶出貨,美光2500 NVMe TM SSD則已向PC製造商送樣,展現美光在NAND技術上的持
高佳菁/核稿編輯記憶體行業脫離谷底態勢確立,南韓1位半導體業內人士表示,近期尋求擴大存儲容量的伺服器企業紛紛搶購SSD訂單,以致部分產品甚至出現缺貨,南韓記憶體公司考慮增產。韓媒表示,三星電子將在第2季啟動漲價,大幅提高SSD價格約20%至25%。
集邦科技 (TrendForce)今指出,第二季NAND Flash採購量雖較第一季小幅下滑,但整體市場氛圍持續受供應商庫存降低、減產效應影響,預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%,其中,受惠雲端服務業者(CSP)需求上升,企業(Enterprise) SSD合約價季增達20
靶材大廠光洋科(1785)的半導體前端製程工繳(VAS,非貴金屬)業務持續成長、且客戶需求估將穩健提升,受話題帶動,昨光洋科股價放量走高,終場上漲3.3元或7.14%,以49.55元作收,站上近2年來新高,成交量逾4萬張。投信連2日皆買超逾1500張。
面對國內工業發展迅速,台電部署電力設備以滿足超級大戶,包括強韌電網計畫,細節陸續執行,預計從北到南的科學園區周圍都興建超高壓變電所,二○三三年底前將完成寶山、觀園、橫山、柳科、高煉等五座超高壓變電所,每座都將採室內化設計,單座投資金額將是百億元起跳。
中華電信在2024世界行動通信大會(Mobile World Congress, MWC)宣布,與諾基亞簽署5G Advanced/6G暨ESG新技術應用合作備忘錄。中華電信表示,在既有優質5G網路基礎上,深化雙方長期策略合作,持續引入最新的技術與創新應用,提升用戶體驗以保持市場領先地位。
吳孟峰/核稿編輯美國記憶體晶片生產商美光科技(Micron Technology) 已開始量產用於生成式人工智慧和高效能運算的高頻寬記憶體HBM3E,韓國媒體報導,美光擊敗主導廠商三星電子和SK 海力士,達到新的里程碑。美光出人意料地宣布,其HBM3E晶片將整合到輝達的頂級 H200 GPU 中,該
因應生成式AI(人工智慧)時代到來,前瞻記憶體儲存技術如火如荼研發,國研院半導體中心攜手台積電,合作開發下世代記憶體晶片,將選擇器與磁性記憶體(MRAM)整合,能較傳統的記憶體(DRAM)速度快上千倍,容量堆疊有機會達百倍,功耗則僅10分之1,且不會一關電源就喪失資料,相關成果論文已獲全球頂尖電子元
靶材大廠光洋科(1785)元月營收增溫,也受惠客戶需求放量,光洋科半導體訂單維持穩健,尤其前端製程的工繳營收(VAS,非貴金屬領域)佔比將持續提升,近期半導體族群熱,今日光洋科股價也一度漲逾8.6%,截至10時20分,股價上漲2.9元或6.88%,暫報45.05元。