記憶體大廠旺宏(2337)第三季毛利率達38.4%,稅後淨利21.23億元,季增2.45倍,創七年來新高,每股盈餘1.2元,第四季預估記憶體價格將續上漲,法人估推升旺宏營運再走高可期。旺宏今公佈第三季財報並舉行線上法人說明會;第三季受惠旺季與價格上揚,旺宏的ROM、NAND Flash與NOR Fl
記憶體封測廠力成(6239) 第三季稅後淨利達16.21億元,創2011年第三季以來單季新高,每股淨利達2.08元;展望第四季,受惠NAND Flash封測成長動能續強,第四季營運展望樂觀,營收續走高可期。力成昨召開法說會並公布財報,因6月起認列合併日商TeraProbe營收、8月起認列已併購的美光
日本記憶體廠東芝(Toshiba)傳出生產儲存型(NAND)快閃記憶體出狀況,儘管各方說法不一,但確實影響NAND快閃記憶體整體產出量較原預期少,致使供需起變化,呈現吃緊狀態。傳遭到勒索軟體攻擊市場傳出,東芝因晶圓廠電腦遭到勒索軟體的駭客惡意攻擊,致使東芝停工數週以解決問題,此意外停工事件,影響近1
記憶體大廠旺宏 (2337) 9月營收亮麗,以41.5億元、月增達20.7%創16年以來單月營收新高,激勵今股價勁揚,盤中最高一度達55.2元,上漲幅度逾8%,股價同創16年來新高。旺宏受惠編碼型快閃記憶體(NOR Flash)供給短缺,價格上漲,加上任天堂遊戲機熱賣,唯讀記憶體(ROM)出貨量也增
受惠DRAM量價俱揚,記憶體模組大廠威剛(3260)9月合併營收達29.26億元,創47個月以來單月營收新高,月增12.14%、年成長34.43%;威剛第三季合併營收達81.6億元,季成長4.16%,今年前三季合併營收達240億元,年成長達51.89%,已超越去年全年合併營收232.17億元。
美國記憶體大廠美光財報報佳音,激勵DRAM族群南亞科(2408)、華邦電(2344)、記憶體模組廠威剛(3260)等,今天股價開盤上漲幅度均超過2%。受惠DRAM及NAND Flash價量齊揚,美光2017年會計年度第4季的Non-GAAP財報表現亮眼,營收達61.38億美元、季增10%,年大增約9
市場預期,明年NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給將增加42.9%,需求端將成長37.7%,整體供需將由2017年的供不應求轉為供需平衡。TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,從2016年第三季起,NAND Flash產業受到智慧型手機搭載容量與伺服器需求增加,
群聯(8299)因東芝半導體集團組織調整,辭任群聯董事,群聯今日召開股東臨時會補選一席董事,並採候選人提名制度,由股東臨時會就董事候選人名單中選任,經股東臨時會票選通過,由日商東芝記憶體株式會社(Toshiba Memory Corporation,簡稱TMC)取得一席董事。
東芝決定將旗下半導體事業以2兆日圓出售給由美國私募股權業者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯盟,TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)預估此出售案對NAND Flash市場的影響恐到明年上半年才會明顯,中長期則要資金到位,才有助東芝在3D的NAND Flash產
東芝(Toshiba)20日召開董事會,拍板決定把旗下最有價值的半導體事業「東芝記憶體公司」賣給美國貝恩資本(Bain)和蘋果、戴爾等組成的「日美韓聯盟」;日本共同社和彭博指出,貝恩等投資人提出收購價達2~2.4兆日圓,並擔保即使東芝半導體合夥人威騰電子(WD)官司尚未化解,雙方都將完成交易、盡快簽
南韓政府正為半導體、面板製造廠商在中國積極擴廠計畫急踩煞車,因擔憂高科技業先進技術外流,導致競爭優勢流失。南韓產業通商資源部十八日邀集半導體及面板企業主管會商,力勸三星重新考慮在西安的3D NAND Flash(儲存型快閃記憶體)擴廠計畫,避免未來如樂天集團遭中國報復。
一則由韓國媒體《etnews》未註明消息來源的報導指出,南韓產業通商資源部(MOTIE)部長邊雲圭(Baek Woon-kyu)昨(18)日在首爾舉行的「半導體與顯示器產業會議」上向南韓主要半導體與面板製造商高層表示,南韓政府考慮禁止半導體及面板業赴中國設廠與擴廠。
蘋果與非蘋陣營紛推出新機種,推升行動DRAM供不應求,市場傳出第四季價格續漲,帶動記憶體族群今股價表現強勢,記憶體模組廠威剛(3260)、華邦電(2344)盤中股價均一度攀漲停。威剛14日起執行庫藏股,預計二個月內買回6000張,激勵股價走揚、加上受惠DRAM與NAND Flash產品價格看漲,威剛
記憶體模組大廠威剛 (3260) 今起執行庫藏股,預計二個月內買回6000張,激勵早盤股價漲幅逾2%、每股超過79元。威剛董事會昨決議,14日起將自集中市場買回6000張庫藏股,買回區間價格為新台幣54元到113.6元,這是威剛二年多來首度實施庫藏股,買回的庫藏股將轉讓予員工。
關鍵元件MLCC(多層陶瓷電容)、Flash(快閃記憶體)、DRAM等供應商,對於報價喊漲聲勢猛烈,其中國巨已三度調漲MLCC報價,而與被動元件唇齒相依的「主動元件」整流二極體報價壓抑已久,也渴望一吐怨氣,尤以自動化程度高者虹揚-KY(6573)與德微(3675),在漲價潮下能享有較大的利潤空間。
受惠記憶體量缺價揚,旺宏 (2337) 8月營收達34.39億元,月增19.5%、年增62.8%;華邦電 (2344) 8月合併營收則達42.35億元,月增5.89%、年增18.49%,同創16年多以來的單月營收新高。進入傳統旺季,旺宏受惠NOR Flash、NAND Flash缺貨與價格上漲效應
IC設計群聯(8299)8月合併營收年減18.8%,表現不如預期,盤中股價重挫逾6%,對此,群聯說明,因多樣電子零組件缺貨嚴重,使客戶放慢旺季備貨動作,需求減少,群聯為避免賤售而採取不積極出貨策略,但有信心在9月需求回溫後,滿足客戶旺季遞延需求。
半導體DRAM大廠華邦電子,申請於南科高雄園區(路竹科學園區)設立新廠,總投資達3350億元,已獲科技部科學工業園區審議委員會通過。對此,高市府今早表達歡迎,認為有助於高雄市的半導體產業聚落逐漸成形。 科技部表示,華邦電位於中科的12吋晶圓廠即將滿載,因應全球記憶體市場成長趨勢,因此向位於路竹的南科
記憶體大廠華邦電(2344)新十二吋廠案確定落腳台灣高雄路竹園區,總投資金額達新台幣3350億元,用地25公頃,預計可創造千名就業機會。華邦電建廠計畫案已獲科技部科學工業園區審議委員會會議通過,計畫興建完成後,將以20奈米製程生產利基型DRAM為主,輔以3x奈米生產NAND/NOR快閃記憶體(Fla
編碼型快閃記憶體(NOR Flash)持續缺貨與逐季漲價,台廠兩家供應商旺宏(2337)、華邦電(2344)接單滿手,供不應求,將有助第三季與第四季營運走旺。受惠智慧型手機功能新增需求,加上全球NOR Flash產能沒有明顯擴增,隨著下半年新機種將陸續推出,NOR Flash供不應求的缺口放大,價格